DRAM-буфер
Версия NVMe 1.4
Дата выхода на рынок 2021 г.
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Объем 500 ГБ
Скорость последовательного чтения 3 100 Мбайт/с
Совместимость с PS5
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Тип поставки RTL (в коробке)
Контроллер Samsung Pablo
Ресурс записи 300 TBW
Скорость последовательной записи 2 600 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 400 000 IOps
Форм-фактор M.2
Аппаратное шифрование AES 256bit
Размеры устройств M.2 2280
Средняя скорость случайной записи 470 000 IOps
Толщина 2.38 мм
Энергопотребление (чтение/запись) 5.9 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.045 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Подсветка
Охлаждение
Общая информация
Дата выхода на рынок 2021 г.
Основные
Ресурс записи 300 TBW
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Samsung Pablo
Размеры устройств M.2 2280
Объем 500 ГБ
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Форм-фактор M.2
Технические характеристики
Охлаждение нет
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 3 100 МБ/с
Скорость последовательной записи 2 600 МБ/с
Энергопотребление (чтение/запись) 5.9 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.045 Вт
Толщина 2.38 мм
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Средняя скорость случайного чтения 400 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 470 000 IOps
Подсветка нет
Комплектация
Адаптер 3.5" нет

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: