DRAM-буфер
Дата выхода на рынок 2021 г.
Интерфейс SATA 3.0
Объем 4 ТБ
Объем DRAM-буфера 4096 МБ
Скорость последовательного чтения 560 Мбайт/с
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Тип поставки RTL (в коробке)
Контроллер Samsung MKX
Ресурс записи 2400 TBW
Скорость последовательной записи 530 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 98 000 IOps
Форм-фактор 2.5
Аппаратное шифрование AES 256bit
Средняя скорость случайной записи 88 000 IOps
Толщина 6.8 мм
Энергопотребление (чтение/запись) 5 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.035 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Подсветка
Охлаждение
Общая информация
Дата выхода на рынок 2021 г.
Основные
Ресурс записи 2400 TBW
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Samsung MKX
Объем 4 ТБ
Интерфейс SATA 3.0
Форм-фактор 2.5
Технические характеристики
Кэш DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера 4096 МБ
Охлаждение нет
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 560 МБайт/с
Скорость последовательной записи 530 МБайт/с
Энергопотребление (чтение/запись) 5 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.035 Вт
Толщина 6.8 мм
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Средняя скорость случайного чтения 98 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 88 000 IOps
Подсветка нет
Комплектация
Адаптер 3.5" нет
Вариант поставки розничная

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: