Общая информация
Дата выхода на рынок 2018 г.
Основные
Ресурс записи 320 TBW
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Silicon Motion SM2262EN
Размеры устройств M.2 2280
Объем 512 ГБ
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Форм-фактор M.2
Технические характеристики
Охлаждение 1
Аппаратное шифрование нет
Скорость последовательного чтения 3 350 МБ/с
Скорость последовательной записи 2 350 МБ/с
Энергопотребление (чтение/запись) 0.33 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.14 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 2 000 000 ч
Средняя скорость случайного чтения 390 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 380 000 IOps
Комплектация
Адаптер 3.5" нет
Комплект поставки накопитель, радиатор

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: