DRAM-буфер
Дата выхода на рынок 2020 г.
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Объем 500 ГБ
Объем DRAM-буфера 512 МБ
Скорость последовательного чтения 3 500 Мбайт/с
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Silicon Motion SM2262
Скорость последовательной записи 2 200 Мбайт/с
Форм-фактор M.2
Размеры устройств M.2 2280
Подсветка
Охлаждение
Общая информация
Дата выхода на рынок 2020 г.
Основные
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Silicon Motion SM2262
Размеры устройств M.2 2280
Объем 500 ГБ
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Форм-фактор M.2
Технические характеристики
Охлаждение нет
Буфер 512 МБ
Скорость последовательного чтения 3 500 МБ/с
Скорость последовательной записи 2 200 МБ/с
Подсветка нет
Комплектация
Адаптер 3.5" нет

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: