| DRAM-буфер | |
| Версия NVMe | 2.0 |
| Дата выхода на рынок | 2025 г. |
| Интерфейс | PCI Express 5.0 x4 |
| Объем | 2 ТБ |
| Скорость последовательного чтения | 14 000 Мбайт/с |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Тип охлаждения | радиатор с воздушным и жидкостным охлаждением |
| Тип поставки | RTL (в коробке) |
| Контроллер | Silicon Motion SM2508 |
| Ресурс записи | 1480 TBW |
| Скорость последовательной записи | 13 000 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 2 000 000 IOps |
| Форм-фактор | M.2 |
| Аппаратное шифрование | |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Средняя скорость случайной записи | 1 650 000 IOps |
| Толщина | 30.45 мм |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
| Подсветка | |
| Охлаждение | |
|
Общая информация
|
|
| Дата выхода на рынок | 2025 г. |
|
Основные
|
|
| Версия NVMe | 2.0 |
| Интерфейс | PCI Express 5.0 x4 |
| Объём | 2 ТБ |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Форм-фактор | M.2 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2508 |
| Ресурс записи | 1480 TBW |
|
Технические характеристики
|
|
| DRAM-буфер | |
| Аппаратное шифрование | |
| Тип охлаждения | радиатор с воздушным и жидкостным охлаждением |
| Скорость последовательного чтения | 14 000 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 13 000 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 2 000 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 1 650 000 IOps |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
| Толщина | 30.45 мм |
| Охлаждение | |
| Подсветка | |
|
Комплектация
|
|
| Тип поставки | RTL (Retail) |