Общая информация
Дата выхода на рынок 2023 г.
Технические характеристики
Базовая расчетная тепловая мощность (TDP) 270 Вт
Базовая тактовая частота 3.6 ГГц
Конфигурация контроллера PCIe макс. кол-во каналов PCI Express - 80
Макс. частота памяти без разгона 4 800 МГц
Максимальная частота 4 ГГц
Максимальное количество потоков 32
Многопоточность ядра 1
Тип поставки OEM
ИИ-ускоритель (NPU) нет
Охлаждение в комплекте нет
Модельный ряд Xeon
Кодовое название кристалла Sapphire Rapids
Сокет LGA4677
Количество ядер 16
Кэш L3 45 МБ
Поддержка памяти DDR5
Количество каналов памяти 8
Встроенный контроллер PCI Express PCI Express 5.0
Встроенная графика нет
Виртуализация Intel VT-x 1
Виртуализация Intel VT-d 1
Техпроцесс 10 нм

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: