DRAM-буфер
Дата выхода на рынок 2021 г.
Интерфейс SATA 3.0
Объем 500 ГБ
Объем DRAM-буфера 512 МБ
Скорость последовательного чтения 560 Мбайт/с
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Тип поставки RTL (в коробке)
Контроллер Samsung MKX
Ресурс записи 300 TBW
Скорость последовательной записи 530 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 98 000 IOps
Форм-фактор 2.5
Аппаратное шифрование AES 256bit
Средняя скорость случайной записи 88 000 IOps
Толщина 6.8 мм
Энергопотребление (чтение/запись) 2.2 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.03 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Подсветка
Охлаждение
Общая информация
Дата выхода на рынок 2021 г.
Основные
Ресурс записи 300 TBW
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Samsung MKX
Объем 500 ГБ
Интерфейс SATA 3.0
Форм-фактор 2.5"
Технические характеристики
Охлаждение нет
Буфер 512 МБ
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 560 МБ/с
Скорость последовательной записи 530 МБ/с
Энергопотребление (чтение/запись) 2.2 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.03 Вт
Толщина 6.8 мм
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Средняя скорость случайного чтения 98 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 88 000 IOps
Подсветка нет
Комплектация
Адаптер 3.5" нет

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: