DRAM-буфер
Версия NVMe 1.3
Дата выхода на рынок 2020 г.
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Объем 512 ГБ
Скорость последовательного чтения 2 080 Мбайт/с
Совместимость с PS5
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Тип поставки RTL (в коробке)
Контроллер Silicon Motion SM2263XT
Ресурс записи 300 TBW
Скорость последовательной записи 1 700 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 200 000 IOps
Форм-фактор M.2
Аппаратное шифрование
Размеры устройств M.2 2280
Средняя скорость случайной записи 200 000 IOps
Толщина 2.25 мм
Время наработки на отказ (МТBF) 2 000 000 ч
Подсветка
Охлаждение
Общая информация
Дата выхода на рынок 2020 г.
Основные
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Silicon Motion SM2263XT
Размеры устройств M.2 2280
Объем 512 ГБ
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Форм-фактор M.2
Технические характеристики
Охлаждение нет
Скорость последовательного чтения 2 018 МБ/с
Скорость последовательной записи 1 309 МБ/с
Подсветка нет
Комплектация
Адаптер 3.5" нет

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: