DRAM-буфер
Версия NVMe 1.3
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Объем 1 ТБ
Скорость последовательного чтения 3 300 Мбайт/с
Совместимость с PS5
Тип микросхем Flash 3D QLC NAND
Тип охлаждения пластина
Тип поставки RTL (в коробке)
Ресурс записи 300 TBW
Скорость последовательной записи 2 300 Мбайт/с
Форм-фактор M.2
Аппаратное шифрование
Размеры устройств M.2 2280
Время наработки на отказ (МТBF) 2 000 000 ч
Подсветка
Охлаждение
Основные
Версия NVMe 1.4
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Объём 1 ТБ
Размеры устройств M.2 2280
Форм-фактор M.2
Тип микросхем Flash 3D QLC NAND
Ресурс записи 600 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование
Тип охлаждения пластина
Скорость последовательного чтения 3 400 Мбайт/с
Совместимость с PS5
Скорость последовательной записи 2 900 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 220 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 160 000 IOps
Время наработки на отказ (МТBF) 2 000 000 ч
Охлаждение
Подсветка
Комплектация
Тип поставки RTL (Retail)

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: