Общая информация
Дата выхода на рынок 2019 г.
Основные
Ресурс записи 350 TBW
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Размеры устройств M.2 2280
Объем 512 ГБ
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Форм-фактор M.2
Технические характеристики
Охлаждение нет
Аппаратное шифрование нет
Скорость последовательного чтения 1 700 МБ/с
Скорость последовательной записи 1 400 МБ/с
Толщина 3.8 мм
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Средняя скорость случайного чтения 220 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 200 000 IOps
Подсветка нет
Комплектация
Адаптер 3.5" нет
Вариант поставки розничная

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: