Главная » SSD M.2 2280 M PCI Express 4.0 x4 Samsung 4TB 990 Pro Series (MZ-V9P4T0BW) 7450/6900 MBps TLC RTL
SSD M.2 2280 M PCI Express 4.0 x4 Samsung 4TB 990 Pro Series (MZ-V9P4T0BW) 7450/6900 MBps TLC RTL

SSD M.2 2280 M PCI Express 4.0 x4 Samsung 4TB 990 Pro Series (MZ-V9P4T0BW) 7450/6900 MBps TLC RTL

Код товара: 356461-11

Цена: 2 133.65 руб.
Цена со скидкой 6%
Сообщить о снижении цены ?
Кол-во:  

2 или более: 2 112.32 руб.
5 или более: 2 069.64 руб.
Статус товара: Предзаказ 1-3 дня
Гарантия: 12
Импортер: ООО "Надежная техника", г.Минск, ул.Скрыганова, д6а, пом.25, офис 29.
Производитель:Samsung,Самсунг Электроникс Компани, ЛТД,Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея

Оплата:
после получения товара - Картой на сайте онлайн

Курьер по Гродно: Бесплатно

По Беларуси: наложенным платежом

Рассрочка: нет

Консультация: Да, курьер может рассказать и показать

✅ Samsung 990 PRO 4 TB (MZ‑V9P4T0B/AM) - это высокопроизводительный SSD формата M.2 2280 с интерфейсом PCIe 4.0 x4 и поддержкой NVMe 2.0.

✅ Скорость последовательного чтения достигает до 7 450 МБ/с, а записи - до 6 900 МБ/с. В режиме случайных операций (4K, QD32) заявлены цифры до 1600000 IOPS при чтении и 1550000 IOPS при записи.

✅ Для хранения данных используется память Samsung V‑NAND TLC и встроенный DRAM‑кеш (4 ГБ LPDDR4). Надёжность подтверждена ресурсом записи (TBW) в 2400 ТБ и временем наработки на отказ (MTBF) около 1.5 млн часов.

✅ Энергопотребление умеренное: около 6.5 Вт в активном режиме и до 8.6 Вт в пиковом нагрузочном режиме. Также реализована система теплового менеджмента - контроллер с никелевым покрытием и алгоритмы Dynamic Thermal Guard для предотвращения перегрева и поддержания стабильности.
DRAM-буфер
Версия NVMe 2.0
Дата выхода на рынок 2023 г.
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Объем 4 ТБ
Объем DRAM-буфера 4096 МБ
Скорость последовательного чтения 7 450 Мбайт/с
Совместимость с PS5
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Тип поставки RTL (в коробке)
Контроллер Samsung Pascal
Ресурс записи 2400 TBW
Скорость последовательной записи 6 900 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 1 600 000 IOps
Форм-фактор M.2
Аппаратное шифрование AES 256bit
Размеры устройств M.2 2280
Средняя скорость случайной записи 1 550 000 IOps
Толщина 2.3 мм
Энергопотребление (чтение/запись) 8.6 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.055 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Подсветка
Охлаждение
Общая информация
Дата выхода на рынок 2023 г.
Основные
Ресурс записи 2400 TBW
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Samsung Pascal
Размеры устройств M.2 2280
Объем 4 ТБ
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Форм-фактор M.2
Технические характеристики
Кэш DRAM-буфер
Совместимость с PS5 1
Объем DRAM-буфера 4096 МБ
Охлаждение нет
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 7 450 МБайт/с
Скорость последовательной записи 6 900 МБайт/с
Энергопотребление (чтение/запись) 8.6 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.055 Вт
Толщина 2.3 мм
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Средняя скорость случайного чтения 1 600 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 1 550 000 IOps
Подсветка нет
Комплектация
Адаптер 3.5" нет
Вариант поставки розничная
Комплект поставки ПО Samsung Magician для управления SSD

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке:



Продолжить