Общая информация
|
|
Дата выхода на рынок | 2023 г. |
Технические характеристики
|
|
Базовая расчетная тепловая мощность (TDP) | 150 Вт |
Базовая тактовая частота | 2 ГГц |
Макс. частота памяти без разгона | 4 000 МГц |
Максимальная частота | 3.9 ГГц |
Максимальное количество потоков | 24 |
Многопоточность ядра | 1 |
Тип поставки | OEM |
ИИ-ускоритель (NPU) | нет |
Охлаждение в комплекте | нет |
Модельный ряд | Xeon |
Кодовое название кристалла | Sapphire Rapids |
Сокет | LGA4677 |
Количество ядер | 12 |
Кэш L3 | 30 МБ |
Поддержка памяти | DDR5 |
Количество каналов памяти | 8 |
Встроенный контроллер PCI Express | PCI Express 5.0 |
Встроенная графика | нет |
Виртуализация Intel VT-x | 1 |
Виртуализация Intel VT-d | 1 |
Техпроцесс | 10 нм |