Общая информация
Дата выхода на рынок 2018 г.
Основные
Ресурс записи 100 TBW
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Размеры устройств M.2 2280
Объем 256 ГБ
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Форм-фактор M.2
Технические характеристики
Охлаждение нет
Скорость последовательного чтения 1 600 МБ/с
Скорость последовательной записи 800 МБ/с
Время наработки на отказ (МТBF) 1 000 000 ч
Средняя скорость случайного чтения 110 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 95 000 IOps
Комплектация
Адаптер 3.5" нет

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: