Основные
Ресурс записи 1000 TBW
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Размеры устройств M.2 2280
Объем 2 ТБ
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Форм-фактор M.2
Технические характеристики
Охлаждение нет
Аппаратное шифрование нет
Скорость последовательного чтения 2 400 МБайт/с
Скорость последовательной записи 2 100 МБайт/с
Толщина 3.8 мм
Время наработки на отказ (МТBF) 2 000 000 ч
Средняя скорость случайного чтения 220 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 200 000 IOps
Подсветка нет
Комплектация
Вариант поставки розничная

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: