Общая информация
Дата выхода на рынок 2024 г.

❗️Текст описания переведен при помощи искусственного интеллекта.

✅ Оставайтесь на пике своей игры
Скорость последовательного чтения/записи до 5,000/4,200 МБ/с и случайного чтения/записи до 680К/800К IOPS - на 43% быстрее, чем у 970 EVO Plus 2TB. Ждите меньше для игр и быстрый доступ к большим файлам.

✅ Универсальность под ваши потребности
Созданный для удовлетворения потребностей игр, бизнеса и работы. Поддерживаемый последними интерфейсами PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2, он предлагает гибкость для текущих вычислений и будущего. Оставайтесь на пике с этим универсальным игроком.

✅ Улучшенная энергоэффективность
Улучшение энергоэффективности на 70% по сравнению с предыдущей моделью* помогает сохранить заряд батареи при использовании компьютера. Кроме того, он поддерживает режим Modern Standby, позволяя оставаться подключенным к интернету и получать уведомления даже в режиме низкого энергопотребления.

✅ Умное тепловое решение
Тепловая метка 990 EVO помогает контролировать температуру чипа NAND. Современный тепловой алгоритм управления Samsung, в паре с Dynamic Thermal Guard, обеспечивает постоянную и надежную производительность. Держите свою производительность на высоте, а не ваш диск.

✅ Программное обеспечение Samsung Magician
Сделайте свой SSD работающим как волшебство. Оптимизационные инструменты программного обеспечения Samsung Magician обеспечивают лучшую производительность SSD. Это безопасный и простой способ перенести все ваши данные для обновления SSD Samsung. Защищайте ценные данные, контролируйте состояние диска и получайте последние обновления прошивки.

✅ Приведение инноваций к жизни
Десятилетиями NAND-флэш-память Samsung приводила к революционным технологиям, которые изменили каждую часть нашей повседневной жизни. Эта технология NAND flash также обеспечивает питание наших потребительских SSD, открывая путь для следующего большого прорыва инноваций.

Основные
Версия NVMe 2.0
Интерфейс PCI Express 5.0 x2
Объём 1 ТБ
Размеры устройств M.2 2280
Форм-фактор M.2
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Samsung Piccolo
Ресурс записи 600 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 5 000 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 4 200 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 680 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 800 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 4.9 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.06 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 2.38 мм
Охлаждение
Подсветка
Комплектация
Тип поставки RTL (Retail)

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: