Общая информация
Дата выхода на рынок 2023 г.
Основные
Версия NVMe 2.0
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Объём 1 ТБ
Размеры устройств M.2 2280
Форм-фактор M.2
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Samsung Pascal
Ресурс записи 600 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование AES 256bit
Объем DRAM-буфера 1024 МБ
Скорость последовательного чтения 7 450 Мбайт/с
Совместимость с PS5
Скорость последовательной записи 6 900 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 1 200 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 1 550 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 5.4 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.05 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 2.3 мм
Охлаждение
Подсветка
Комплектация
Тип поставки RTL (Retail)

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: