Общая информация
Дата выхода на рынок 2021 г.
Основные
Интерфейс SATA 3.0
Объём 4 ТБ
Форм-фактор 2.5
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Samsung MKX
Ресурс записи 2400 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование AES 256bit
Объем DRAM-буфера 4096 МБ
Скорость последовательного чтения 560 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 530 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 98 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 88 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 5 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.035 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 6.8 мм
Охлаждение
Подсветка
Комплектация
Тип поставки RTL (Retail)

Написать отзыв

Ваше имя:


Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: